申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2023-07-19

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN220753434U

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/10;H01L29/205;H01L29/207;H01L29/423;H01L29/78

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权

摘要：本实用新型公开了一种GaN基PN结栅p沟道器件，本实用新型包括：衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层、Mg掺杂的p‑GaN层、凹槽、栅金属电极、源金属电极、漏金属电极和隔离区。本实用新型通过在Mg掺杂的p‑GaN层中刻蚀出凹槽，在凹槽内利用Si掺杂的n型GaN或n型AlGaN和Mg掺杂的p型GaN形成PN结，其耗尽区在栅压的调控下展宽或收缩，从而切断或连通Mg掺杂的p‑GaN层和势垒层因极化效应产生的二维空穴气，Si掺杂的n型GaN或AlGaN和栅金属形成的肖特基接触工作在反偏的状态，可以降低工作时的栅极漏电，最终得到栅极漏电流小、具有负阈值电压逻辑的增强型p沟道器件。

主权项：1.一种GaN基PN结栅p沟道器件，其特征在于，包括：衬底层1、缓冲层2、沟道层3、势垒层4、Mg掺杂的p-GaN层5、凹槽7、栅金属电极8、源金属电极9、漏金属电极10和隔离区11；其中，所述衬底层1、所述缓冲层2、所述沟道层3、所述势垒层4和所述Mg掺杂的p-GaN层5由下至上依次设置；所述隔离区11设置于所述沟道层3、所述势垒层4和所述Mg掺杂的p-GaN层5的两侧区域；所述源金属电极9和漏金属电极10分别设置于所述Mg掺杂的p-GaN层5上表面不包括隔离区表面的区域内两侧；所述凹槽7设置于所述Mg掺杂的p-GaN层5中靠近所述源金属电极9的区域内，且深度不超过所述势垒层4的上表面；所述凹槽7内设置有Si掺杂的n型GaN或n型AlGaN；所述栅金属电极8设置于所述凹槽7内Si掺杂的n型GaN或n型AlGaN的上表面。

全文数据：

权利要求：

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