申请/专利权人：山东华光光电子股份有限公司

申请日：2024-02-18

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117833024A

主分类号：H01S5/22

分类号：H01S5/22;H01S5/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明公开一种近圆形光斑的单模半导体激光器件，其由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、Alx1Ga1‑x1y1In1‑y1P下限制层A、Alx2Ga1‑x2y2In1‑y2P扩展波导层、Alx3Ga1‑x3y3In1‑y3P下限制层B、Alx4Ga1‑x4y4In1‑y4P下波导层、Gax5In1‑x5P第一量子阱、Alx6Ga1‑x6y5In1‑y5P第一垒层、Gax7In1‑x7P第二量子阱、Alx8Ga1‑x8y6In1‑y6P第二垒层、Gax9In1‑x9P第三量子阱、Alx10Ga1‑x10y7In1‑y7P上波导层、Alx11Ga1‑x11y8In1‑y8P上限制层A、Gax12In1‑x12P腐蚀终止层、Alx13In1‑x13P上限制层B、Alx14Ga1‑x14y9In1‑y9P带隙过渡层、GaAs帽层。本发明通过窄脊弱波导结构，实现近圆光斑，同时利用非对称结构、扩展波导结构，压缩光场向N侧偏移，降低吸收损耗，利用低折射率垒层，提高光场与量子阱的重合度，提高光电转换效率。

主权项：1.一种近圆形光斑的单模半导体激光器件，其特征在于，该激光器件由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、Alx1Ga1-x1y1In1-y1P下限制层A、Alx2Ga1-x2y2In1-y2P扩展波导层、Alx3Ga1-x3y3In1-y3P下限制层B、Alx4Ga1-x4y4In1-y4P下波导层、Gax5In1-x5P第一量子阱、Alx6Ga1-x6y5In1-y5P第一垒层、Gax7In1-x7P第二量子阱、Alx8Ga1-x8y6In1-y6P第二垒层、Gax9In1-x9P第三量子阱、Alx10Ga1-x10y7In1-y7P上波导层、Alx11Ga1-x11y8In1-y8P上限制层A、Gax12In1-x12P腐蚀终止层、Alx13In1-x13P上限制层B、Alx14Ga1-x14y9In1-y9P带隙过渡层、GaAs帽层；其中，0.55≤x1≤0.8，0.4≤y1≤0.6；0.45≤x2≤0.55，0.4≤y2≤0.6；0.55≤x3≤0.8，0.4≤y3≤0.6；0.45≤x4≤0.55，0.4≤y4≤0.6；0.35≤x5≤0.45；0.5≤x6≤0.6，0.4≤y5≤0.6；0.35≤x7≤0.45；0.5≤x8≤0.6，0.4≤y6≤0.6；0.35≤x9≤0.45；0.45≤x10≤0.55，0.4≤y7≤0.6；0.6≤x11≤0.85，0.4≤y8≤0.6；0.5≤x12≤0.65；0.45≤x13≤0.55；0.1≤x14≤0.9，0.4≤y9≤0.6；且所述Alx4Ga1-x4y4In1-y4P下波导层厚度小于Alx10Ga1-x10y7In1-y7P上波导层，所述x1、x3取值均小于x11，所述x2取值小于x1及x3，所述x6、x8取值均大于x4、x10；所述x14由0.9渐变至0.1。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东华光光电子股份有限公司 一种近圆形光斑的单模半导体激光器件

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