申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

申请日：2017-03-14

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN110896063B

主分类号：H01L23/485

分类号：H01L23/485;H01L23/532

优先权：["20160315 DE 102016104788.0"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2020.04.14#实质审查的生效;2020.03.20#公开

摘要：公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。

主权项：1.一种半导体器件100、200、300，包括：碳化硅半导体本体106、206、306；金属结构105、205、305，电连接到所述碳化硅半导体本体106、206、306；金属粘附和阻挡结构107、207、307，位于所述金属结构105、205、305与所述碳化硅半导体本体106、206、306之间，其中所述金属粘附和阻挡结构107、207、307包括：包括铝的层；包括钛和钨的层，位于所述包括铝的层上；以及包括钛、钨和氮的层，位于所述包括钛和钨的层上，其中所述金属结构105、205、305包括与所述金属粘附和阻挡结构107、207、307直接接触的铜层，所述铜层的厚度大于4μm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法

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