申请/专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司

申请日：2023-05-15

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN116631960B

主分类号：H01L23/367

分类号：H01L23/367;H01L23/373;H01L29/778;H01L21/335

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2023.09.08#实质审查的生效;2023.08.22#公开

摘要：本发明公开了一种GaNHEMT器件制备方法及GaNHEMT器件，制备方法包括：在蓝宝石衬底上生长缓冲层；在缓冲层上生长GaN通道层；在通道层上生长AlGaN阻挡层，且通道层与阻挡层之间的异质结界面处形成2DEG；从阻挡层向下刻蚀至通道层以形成两个凹槽，并分别将源极电极、漏极电极设置在凹槽中；在阻挡层上设置栅极电极；将蓝宝石衬底研磨至厚度小于或等于350μm，及在GaNHEMT器件上远离蓝宝石衬底的一侧形成钝化层；在钝化层的表面设置热扩散层，且热扩散层与2DEG处的有源器件通道区域在器件厚度方向的投影上至少部分重合，兼顾器件在蓝宝石衬底上的正常运行以及热扩散层的导热系数。

主权项：1.一种GaNHEMT器件制备方法，其特征在于，利用热扩散层降低蓝宝石衬底上GaNHEMT器件传导通道峰值温度，所述制备方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上生长缓冲层，所述缓冲层包括GaN缓冲层或AlGaN缓冲层；在所述缓冲层上生长GaN通道层；在所述GaN通道层上生长AlGaN阻挡层，且所述GaN通道层与AlGaN阻挡层之间的异质结界面处形成2DEG，所述2DEG处形成的有源器件通道区域设有多个有源器件通道810；从所述AlGaN阻挡层向下刻蚀至GaN通道层以形成两个凹槽，并分别将源极电极、漏极电极设置在所述凹槽中；在所述AlGaN阻挡层上设置栅极电极；将所述蓝宝石衬底研磨至厚度小于或等于350μm，对研磨后的蓝宝石衬底的底面上与所述有源器件通道区域相对的局部位置进行加工，得到比所述蓝宝石衬底上其他区域的厚度小50μm以上的更薄衬底区域；所述更薄衬底区域与所述有源器件通道810一一对应，所述更薄衬底区域设置在对应的有源器件通道内，及在GaNHEMT器件上远离蓝宝石衬底的一侧形成钝化层；以及，在所述钝化层的表面设置热扩散层700，且所述热扩散层700与所述2DEG处的有源器件通道区域在器件厚度方向的投影上至少部分重合，且所述热扩散层700与所述有源器件通道810一一对应，所述热扩散层700设置在对应的有源器件通道810内。

全文数据：

权利要求：

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