申请/专利权人：之江实验室

申请日：2024-03-11

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117877975A

主分类号：H01L21/311

分类号：H01L21/311

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本申请提供一种利用ICP刻蚀二氧化硅的方法。该方法包括：向抽真空后的反应腔内通入第一刻蚀气体、第二刻蚀气体和掺杂气体，控制刻蚀压力达到1~20mTorr后，开启并控制ICP功率为500~2500w，偏压功率为30~500w，对二氧化硅进行刻蚀，所述第一刻蚀气体为含氟化合物，所述含氟化合物中氟的分子量大于3，所述第二刻蚀气体为含有氟和碳的化合物，氟与碳的分子量之比小于3，所述第一刻蚀气体、第二刻蚀气体和掺杂气体三者的体积流量之比为1：（2~4）：（5~10）。该方案可以刻蚀出陡直且光滑的二氧化硅侧壁形貌。

主权项：1.一种利用ICP刻蚀二氧化硅的方法，其特征在于，包括：向抽真空后的反应腔内通入第一刻蚀气体、第二刻蚀气体和掺杂气体，控制刻蚀压力达到1~20mTorr后，开启并控制ICP功率为500~2500w，偏压功率为30~500w，对二氧化硅进行刻蚀，所述第一刻蚀气体为含氟化合物，所述含氟化合物中氟的分子量大于3，所述第二刻蚀气体为含有氟和碳的化合物，氟与碳的分子量之比小于3，所述第一刻蚀气体、第二刻蚀气体和掺杂气体三者的体积流量之比为1：（2~4）：（5~10）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 之江实验室 利用ICP刻蚀二氧化硅的方法

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