申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司

申请日：2024-03-12

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117862147A

主分类号：B08B9/08

分类号：B08B9/08;H01L21/67;H01L21/66

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明提供一种炉管设备的清洗方法及半导体工艺方法，通过步骤S1：向反应腔内通入第一清洗气体以清洗反应腔，第一清洗气体为含氯气体，以去除反应腔内的钠离子、钾离子和氢离子，避免对后续的工艺造成污染；步骤S2：使反应腔内的压力处于第一预设压力并向反应腔内通入第二清洗气体；步骤S3：将反应腔内的压力降低至第二预设压力；步骤S4：将反应腔内的压力提高至第三预设压力并向反应腔内通入第二清洗气体，第三预设压力小于第一预设压力；步骤S5：重复执行步骤S3和步骤S4以清除反应腔内的第一清洗气体。在去除第一清洗气体的过程中，无需升温或者降温、耗时短并可以节省能耗，能够清除反应腔内的含氯气体，提高产品晶圆上的产品氧化层均匀性。

主权项：1.一种炉管设备的清洗方法，所述炉管设备包括反应腔，其特征在于，所述炉管设备的清洗方法包括：步骤S1：向所述反应腔内通入第一清洗气体以清洗所述反应腔，所述第一清洗气体为含氯气体；步骤S2：使所述反应腔内的压力处于第一预设压力并向所述反应腔内通入第二清洗气体；步骤S3：降低所述反应腔内的压力至第二预设压力；步骤S4：提高所述反应腔内的压力至第三预设压力并向所述反应腔内通入所述第二清洗气体，其中，所述第三预设压力小于所述第一预设压力；步骤S5：重复执行所述步骤S3和步骤S4以清除所述反应腔内的所述第一清洗气体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 粤芯半导体技术股份有限公司 炉管设备的清洗方法及半导体工艺方法

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