申请/专利权人：湖南三安半导体有限责任公司

申请日：2023-12-09

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878138A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/30;H01L29/16;H01L21/02;H01L21/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本申请提供一种碳化硅半导体外延片及其制备方法、碳化硅半导体器件，碳化硅半导体外延片包括碳化硅衬底、第一碳化硅外延层以及第二碳化硅外延层。其中，第一碳化硅外延层设置于碳化硅衬底上；第二碳化硅外延层设置于第一碳化硅外延层上；其中，第一碳化硅外延层的位错密度小于碳化硅衬底的位错密度。具体的，本申请中的第一碳化硅外延层的位错密度小于碳化硅衬底的位错密度，且采用第一碳化硅外延层作为第二碳化硅外延层的生长表面，大大降低了碳化硅衬底晶体位错向第二碳化硅外延层延伸或转化的概率，能够显著提高了外延片良率，为后续提升碳化硅半导体器件的良率和可靠性打下坚实基础。

主权项：1.一种碳化硅半导体外延片，其特征在于，包括：碳化硅衬底；第一碳化硅外延层，设置于所述碳化硅衬底上；第二碳化硅外延层，设置于所述第一碳化硅外延层上；其中，所述第一碳化硅外延层的位错密度小于所述碳化硅衬底的位错密度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖南三安半导体有限责任公司 碳化硅半导体外延片及其制备方法、碳化硅半导体器件

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