申请/专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司

申请日：2024-03-12

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878116A

主分类号：H01L27/02

分类号：H01L27/02;H01L27/07;H01L21/8249

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本申请提供一种带静电保护结构的MOSFET器件及其制备方法，器件包括：衬底具有源极区域以及保护区域，保护区域中设置有第一沟槽，源极区域中设置有第二沟槽，第一沟槽以及第二沟槽位于衬底的同一面；栅氧层设置于第二沟槽的底璧以及侧壁上；栅极多晶硅设置于第二沟槽中，且其的底部以及侧面均与栅氧层接触设置；静电保护结构填充于第一沟槽中，掺杂部位于源极区域且位于未设置有第二沟槽的衬底中；源极金属层设置于栅氧层、栅极多晶硅以及掺杂部上，并延伸至静电保护结构上以与静电保护结构连接，其中，掺杂部、栅氧层以及栅极多晶硅的表面与静电保护结构的表面平齐，通过此设计，以降低源极区域与保护区域之间的台阶差，从而提高器件的性能。

主权项：1.一种带静电保护结构的MOSFET器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有源极区域以及设置于所述源极区域一侧的保护区域，所述保护区域中设置有第一沟槽，所述源极区域中设置有与所述第一沟槽间隔设置的第二沟槽，所述第一沟槽以及所述第二沟槽位于所述衬底的同一面；栅氧层，设置于所述第二沟槽的底璧以及侧壁上；栅极多晶硅，设置于所述第二沟槽中，且所述栅极多晶硅的底部以及侧面均与所述栅氧层接触设置；静电保护结构，填充于所述第一沟槽中；掺杂部，位于所述源极区域且位于未设置有所述第二沟槽的所述衬底中，其中，所述掺杂部、所述栅氧层以及所述栅极多晶硅的表面与所述静电保护结构的表面平齐；源极金属层，设置于所述栅氧层、所述栅极多晶硅以及所述掺杂部上，并延伸至所述静电保护结构上以与所述静电保护结构连接。

全文数据：

权利要求：

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