申请/专利权人：住友电气工业株式会社

申请日：2023-08-08

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878148A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06

优先权：["20221012 JP 2022-163959"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.12#公开

摘要：本公开提供半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法具有以下工序：在具有第一主面的第一氮化物半导体层之上形成第一绝缘层；在第一绝缘层之上形成具备第一掩模开口的掩模；经由第一掩模开口在第一绝缘层形成第一开口；经由第一掩模开口在第一开口的内侧且在第一氮化物半导体层之上形成第二氮化物半导体层；经由第一掩模开口形成覆盖第二氮化物半导体层与第一绝缘层的边界线的第二绝缘层；在形成第二绝缘层的工序之后，去除掩模；在第二绝缘层形成第二开口；在第二绝缘层之上形成经由第二开口与第二氮化物半导体层接触的第一电极；以及在第一氮化物半导体层的上方形成在与第一主面垂直的俯视观察下离开第二绝缘层的栅电极。

主权项：1.一种半导体装置的制造方法，具有以下工序：在具有第一主面的第一氮化物半导体层之上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层之上形成具备供所述第一绝缘层的一部分露出的第一掩模开口的掩模；经由所述第一掩模开口在所述第一绝缘层形成供所述第一氮化物半导体层的一部分露出的第一开口；经由所述第一掩模开口在所述第一开口的内侧且在所述第一氮化物半导体层之上形成第二氮化物半导体层；经由所述第一掩模开口形成覆盖所述第二氮化物半导体层与所述第一绝缘层的边界线的第二绝缘层；在形成所述第二绝缘层的工序之后，去除所述掩模；在所述第二绝缘层形成供所述第二氮化物半导体层的一部分露出的第二开口；在所述第二绝缘层之上形成经由所述第二开口与所述第二氮化物半导体层接触的第一电极；以及在所述第一氮化物半导体层的上方形成在与所述第一主面垂直的俯视观察下离开所述第二绝缘层的栅电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 住友电气工业株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法

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