申请/专利权人：深圳技术大学

申请日：2023-11-30

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117877633A

主分类号：G16C60/00

分类号：G16C60/00;G02B27/00;G16C20/30;G16C20/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及光伏技术领域，提供了一种针对半导体台阶式纳米柱阵列宽光谱吸收的设计方法，包括基于漏模共振和Mie理论获得台阶式纳米柱的直径范围；基于直径范围创建台阶式纳米柱的填充比FRglobal范围每段台阶的有效介质层，基于每段台阶的有效介质层和光吸收公式迭代计算台阶式纳米柱阵列中的短路电流密度Jsc，获得最大短路电流密度Jsc；基于最大短路电流密度Jsc，输出对应不同段的直径参数和周期P，周期P为相邻台阶式纳米柱的中心间距，输出的所述直径参数为台阶式纳米柱的最佳直径，输出的周期P为最佳周期P。该设计方法用于获得台阶式纳米柱具有最大光捕获量时的几何参数，并具有高效、精准度高的特性。

主权项：1.一种针对半导体台阶式纳米柱阵列宽光谱吸收的设计方法，其特征在于，台阶式纳米阵列包括若干以单元排列的台阶式纳米柱，台阶式纳米柱至少设有两段台阶，所述设计方法包括：基于漏模共振和Mie理论获得台阶式纳米柱的直径范围；基于直径范围和台阶式纳米柱的填充比FRglobal范围创建每段台阶的有效介质层，填充比FRglobal为台阶式纳米柱整体与每个单元格体积的体积比；基于每段台阶的有效介质层和光吸收公式迭代计算台阶式纳米柱阵列中的短路电流密度Jsc，获得最大短路电流密度Jsc；基于最大短路电流密度Jsc，输出对应台阶式纳米柱的不同段的直径参数和周期P，周期P为相邻台阶式纳米柱的中心间距，输出的所述台阶式纳米柱的直径参数为台阶式纳米柱的最佳直径，输出的周期P为最佳周期P。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳技术大学 一种针对半导体台阶式纳米柱阵列宽光谱吸收的设计方法

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