申请/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所

申请日：2021-04-25

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN115323323B

主分类号：C23C14/06

分类号：C23C14/06;C23C14/24;C23C14/34;G01T1/202;G01N23/044

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2022.11.29#实质审查的生效;2022.11.11#公开

摘要：本发明涉及一种铊掺杂低维钙钛矿结构微晶闪烁薄膜及其制备方法和应用。所述铊掺杂低维钙钛矿结构微晶薄膜具有如下通式：A1‑a‑bA’aTlbB1‑cB’c2X1‑dX’d3、A1‑a‑bA’aTlb2B1‑cB’cX1‑dX’d3、A1‑a‑bA’aTlb3B1‑cB’c2X1‑dX’d5，其中：A、A’=Li、Na、K、Rb、Cs和In中的至少一种；B、B’=Cu、Ag和Au中的至少一种；X、X’=F、Cl、Br和I；0≤a＜1、0＜b≤1、0≤c≤1、0≤d≤1。

主权项：1.一种铊掺杂低维钙钛矿结构微晶闪烁薄膜的热蒸镀制备方法，其特征在于，所述铊掺杂低维钙钛矿结构微晶闪烁薄膜具有如下通式：A1-a-bA’aTlbB1-cB’c2X1-dX’d3、A1-a-bA’aTlb2B1-cB’cX1-dX’d3、A1-a-bA’aTlb3B1-cB’c2X1-dX’d5，其中：A、A’=Li、Na、K、Rb、Cs和In中的至少一种；B、B’=Cu、Ag中的至少一种；X、X’=F、Cl、Br和I；0≤a＜1、0＜b≤0.1、0≤c≤1、0≤d≤1；所述铊掺杂低维钙钛矿结构微晶闪烁薄膜的镀膜原料为双源镀膜原料；所述双源镀膜原料为合成的铊掺杂低维钙钛矿结构化合物与卤化铊；所述铊掺杂低维钙钛矿结构微晶闪烁薄膜的热蒸镀制备方法包括：将基板置于真空镀膜装置中，将所述镀膜原料装入相应容积的蒸发舟中；控制真空镀膜装置的真空度和温度，开始镀膜；将所述镀膜原料装入相应容积的蒸发舟中时，额外增加了盛装有珠状的卤化铊的蒸发舟与已有的铊掺杂低维钙钛矿结构化合物同步蒸发。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种铊掺杂低维钙钛矿结构微晶闪烁薄膜及其制备方法和应用

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