申请/专利权人：铠侠股份有限公司

申请日：2020-08-14

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN113393874B

主分类号：G11C11/16

分类号：G11C11/16

优先权：["20200312 JP 2020-042786"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.10.01#实质审查的生效;2021.09.14#公开

摘要：实施方式提供一种与有无不良存储单元无关而能够访问正常的存储单元的半导体存储装置以及存储系统。一实施方式的半导体存储装置具备：在第1布线和第2布线之间串联连接的第1存储单元以及第1开关元件、在第1布线和第3布线之间串联连接的第2存储单元以及第2开关元件、在第1布线和第4布线之间串联连接的第3存储单元以及第3开关元件、以及控制电路。控制电路构成为，在向第1布线施加第1电压、且向第2布线施加第2电压的向第1存储单元进行的第1动作中，在接受第1命令时，向第3布线以及第4布线施加第1电压和第2电压之间的第3电压，在接受第2命令时，在向第3布线施加第3电压的同时，向第4布线施加第1电压。

主权项：1.一种半导体存储装置，具备：第1存储单元，包含第1开关元件，且连接在第1布线和第2布线之间；第2存储单元，包含第2开关元件，且连接在所述第1布线和第3布线之间；第3存储单元，包含第3开关元件，且连接在所述第1布线和第4布线之间；以及控制电路，所述控制电路构成为，在向所述第1布线施加第1电压、且向所述第2布线施加第2电压的向所述第1存储单元进行的第1动作中，在接受第1命令时，向所述第3布线以及所述第4布线施加所述第1电压和所述第2电压之间的第3电压，在接受第2命令时，在向所述第3布线施加所述第3电压的同时，向所述第4布线施加所述第1电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 铠侠股份有限公司 半导体存储装置以及存储系统

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