申请/专利权人：燕山大学;中国电子科技集团公司第九研究所

申请日：2021-11-05

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN115938771B

主分类号：H01F41/02

分类号：H01F41/02;B22F3/02;B22F9/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2023.04.25#实质审查的生效;2023.04.07#公开

摘要：本发明公开了一种SmFexM12‑x纳米晶永磁材料及其制备方法。本发明采用真空熔炼获得母合金、熔体快淬制备非晶条带、研磨、冷压成块、分步热变形制备得到SmFexM12‑x纳米晶永磁材料，其中分步热变形包括一次恒温热变形和二次升温热变形，M选自Ti、V、Cr、Mo、W、Si、Al、Ga、Re和Nb中的任一种，优选为Ti。本发明在非晶晶化过程中施加大应力和应变诱导纳米晶择优取向成核，利用热变形过程中的快速升温加热获得具有晶体织构且结构稳定的SmFe1:12相。本发明制备的块体SmFe12系永磁材料具有明显的磁各向异性和好的磁特性，同时具有较高的Ms点和高剩磁、高矫顽力以及高磁能积。

主权项：1.SmFexM12-x纳米晶永磁材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：制备SmFexM12-x母合金；步骤2：将步骤1中的母合金破碎成块，然后再通过熔体快淬方法制备非晶条带；步骤3：将步骤2得到的非晶条带研磨得到粉体；步骤4：将步骤3得到的粉体冷压成块；步骤5：将步骤4中冷压成块得到的块体进行热变形，所述热变形包括一次热变形和二次热变形，所述一次热变形为恒温热变形，所述二次热变形为升温热变形；其中：步骤5中，所述一次热变形的恒温热变形温度为T1，T1范围为600℃-700℃；所述一次热变形的变形应力＞600Mpa，变形时间为10-12s；步骤5中，所述二次热变形的升温为快速升温，升温速率≥50℃s；所述二次热变形的升温温度为从T1升温至T2，T2的范围为800℃-850℃；所述二次热变形的变形应力为1-1.2GPa，变形时间为2-3s；M选自Ti、V、Cr、Mo、W、Si、Al、Ga、Re和Nb中的任一种。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 燕山大学;中国电子科技集团公司第九研究所 一种SmFe_xM_12-x纳米晶永磁材料的制备方法

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