申请/专利权人：福建省晋华集成电路有限公司

申请日：2021-06-23

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN113437066B

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.10.15#实质审查的生效;2021.09.24#公开

摘要：本发明公开了一种半导体结构，包括一衬底。一第一接触结构设置在该衬底上，该第一接触结构包括一T形剖面形状，并且包括与该衬底接触的一第一部分以及位于该第一部分上的一第二部分。两第一栅极结构设置在该衬底上并且位于该第一接触结构的两侧，其中该第一接触结构的一顶面与该两第一栅极结构的顶面齐平。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：存储器区域以及外围区域，所述半导体结构包括:一衬底；两第一栅极结构和一第二栅极结构设置在所述外围区域的该衬底上；一第一接触结构设置在该衬底上，并且位于所述两第一栅极结构之间，该第一接触结构包括一T形剖面形状，并且包括与该衬底接触的一第一部分以及位于该第一部分上的一第二部分；以及两第二接触结构设置在所述第二栅极结构的两侧，其中，所述两第二接触结构的一顶面高于该第一接触结构的一顶面；所述外围区域包括：外围电路，所述存储器区域包括：存储器单元；所述第一接触结构应用于所述外围电路中，所述外围电路被配置为控制所述存储器单元的操作和信号的输入输出。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建省晋华集成电路有限公司 半导体结构及其制作方法

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