申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司

申请日：2023-12-12

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117393681B

主分类号：H01L33/44

分类号：H01L33/44;H01L33/46

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2024.01.30#实质审查的生效;2024.01.12#公开

摘要：本发明提供一种倒装发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片，所述制备方法包括提供一衬底，在所述衬底沉积半导体层；利用第一制备工艺在所述半导体层上沉积第一承载层，利用第二制备工艺在所述第一承载层上沉积第二承载层，利用第三制备工艺在所述第二承载层上沉积第三承载层，以使所述第一承载层、所述第二承载层及所述第三承载层共同构成防脱落层；利用腐蚀工艺腐蚀部分所述防脱落层直至暴露部分所述半导体层，以在所述防脱落层形成多个防脱落通孔，其中，在所述第一承载层的防脱落通孔的尺寸由靠近所述第二承载层自远离所述第二承载层的方向依次增大，解决银反射镜容易脱落的问题，提升倒装发光二极管芯片的良率。

主权项：1.一种倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底，在所述衬底沉积半导体层；利用第一制备工艺在所述半导体层上沉积第一承载层，利用第二制备工艺在所述第一承载层上沉积第二承载层，利用第三制备工艺在所述第二承载层上沉积第三承载层，以使所述第一承载层、所述第二承载层及所述第三承载层共同构成防脱落层；去除部分所述防脱落层直至暴露部分所述半导体层，以在所述防脱落层形成多个防脱落通孔，且所述防脱落通孔分别形成在所述第一承载层、所述第二承载层及所述第三承载层上，其中，在所述第一承载层的防脱落通孔的尺寸由靠近所述第二承载层自远离所述第二承载层的方向依次增大，在所述第三承载层的防脱落通孔的尺寸由靠近所述第二承载层自远离所述第二承载层的方向依次增大；在靠近所述防脱落通孔的所述防脱落层上及所述防脱落通孔内蒸镀银反射镜层，在所述银反射镜层依次沉积绝缘层及焊盘层；所述第一制备工艺为第一PECVD工艺，所述第二制备工艺为第二PECVD工艺，所述第三制备工艺为第三PECVD工艺；其中，所述第一PECVD工艺中SiH4流量与N2O流量比自开始到结束逐渐减小，所述第一PECVD工艺中的最小的SiH4流量与N2O流量的流量比大于或等于所述第二PECVD工艺中SiH4流量与N2O流量比，且所述第二PECVD工艺中SiH4流量与N2O流量比为定值，所述第三PECVD工艺中SiH4流量与N2O流量比自开始到结束逐渐增大，且所述第三PECVD工艺中最小SiH4流量与N2O流量比大于或等于第二PECVD工艺中SiH4流量与N2O流量比，所述第一PECVD工艺中SiH4流量与N2O流量比介于1:2-1:1，所述第二PECVD工艺中SiH4流量与N2O流量比介于1:5-1:10，所述第三PECVD工艺中SiH4流量与N2O流量比介于1:3-1:4，所述第一承载层、所述第二承载层及所述第三承载层均为SiO2层。

全文数据：

权利要求：

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