申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司

申请日：2023-12-12

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117393680B

主分类号：H01L33/44

分类号：H01L33/44;H01L33/46

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2024.01.30#实质审查的生效;2024.01.12#公开

摘要：本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，该倒装发光二极管芯片包括衬底以及在所述衬底上依次设置的外延层、连接层、绝缘层和焊盘层。通过先进行匀胶、曝光、显影形成一两端梯形开口，然后利用第一电子束蒸镀工艺蒸镀反射镜层金属，接着进行第二次显影，然后利用第二电子束蒸镀工艺蒸镀反射镜保护层金属，然后利用金属剥离工艺同时去除掉不需要的反射镜金属和反射镜保护层金属，由此只需要光刻一次，金属剥离一次，且通过反射镜保护层对反射镜层进行包覆，由此可防止剥离不需要的反射镜层时造成需要留在底材上的反射镜层也被剥离掉。

主权项：1.一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括衬底以及在所述衬底上依次设置的外延层、连接层、绝缘层和焊盘层，所述连接层包括设置在所述外延层上的反射镜层以及在所述反射镜层与所述外延层上设置的反射镜保护层，所述反射镜保护层将所述反射镜层完全包覆，所述外延层上设有贯穿孔，所述贯穿孔内设有电极层，所述绝缘层上开设有多个通孔，所述焊盘层通过所述通孔与所述反射镜保护层和电极层电性连接；所述反射镜保护层由靠近所述反射镜层的第一子层和背离所述反射镜层的第二子层组成，所述第一子层包括周期性依次层叠的第一金属层及第二金属层，所述第二子层包括周期性依次层叠的第三金属层及第二金属层，所述第一子层单个周期中第一金属层与第二金属层的厚度比例从靠近所述反射镜层到背离所述反射镜层线性降低，所述第二子层单个周期中第三金属层与第二金属层的厚度比例从靠近所述反射镜层到背离所述反射镜层线性降低；所述第一金属层为Al，所述第二金属层为Ti，所述第三金属层为Ni；所述第一子层的每个周期中第一金属层与第二金属层的厚度比例介于5:1-3:1，所述第二子层的每个周期中第三金属层与第二金属层的厚度比例介于0.2:1-1:1。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种倒装发光二极管芯片及其制备方法

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