申请/专利权人：上海芯导电子科技股份有限公司

申请日：2023-08-04

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN220775393U

主分类号：H02H9/04

分类号：H02H9/04;H02H7/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权

摘要：本实用新型提供了一种基于开路失效模式的保护芯片的结构与电子设备，包括：第一熔断打线与第一导电打线；第一熔断打线高于第一导电打线的阻抗；封装体，包括：基岛，瞬态电压抑制二极管与保护芯片设置于基岛上；瞬态电压抑制二极管的阴极通过第一熔断打线连接封装体的Vin引脚，瞬态电压抑制二极管的阳极电性连接基岛上；保护芯片的Vin引脚通过第一导电打线连接瞬态电压抑制二极管的阴极，Vout引脚通过第二导电打线连接封装体的Vout引脚；当浪涌电压超出瞬态电压抑制二极管的承受范围后，瞬态电压抑制二极管被击穿导致短路，第一熔断打线熔断。

主权项：1.一种基于开路失效模式的保护芯片的结构，其特征在于，包括：瞬态电压抑制二极管、保护芯片、第一熔断打线、第一导电打线、第二导电打线、第三导电打线以及封装体；其中，所述第一熔断打线的阻抗高于所述第一导电打线的阻抗；所述封装体中包括基岛，所述瞬态电压抑制二极管与所述保护芯片设置于所述基岛上，且封装在所述封装体内；其中，所述瞬态电压抑制二极管的阴极通过所述第一熔断打线连接所述封装体的Vin引脚，所述瞬态电压抑制二极管的阳极电性连接于所述基岛上；其中，所述基岛接到所述封装体的GND引脚上；所述保护芯片的Vin引脚通过所述第一导电打线连接所述瞬态电压抑制二极管的阴极；所述保护芯片的Vout引脚通过所述第二导电打线连接所述封装体的Vout引脚；所述保护芯片的GND引脚通过所述第三导电打线连接所述封装体的GND引脚；其中，当工作电压小于所述瞬态电压抑制二极管的反向截止电压时，所述瞬态电压抑制二极管处于截止状态；当出现大于所述反向截止电压的浪涌电压时，所述瞬态电压抑制二极管导通，所述第一熔断打线与所述瞬态电压抑制二极管泄放脉冲能量；或者当出现大于所述反向截止电压的浪涌电压时，所述瞬态电压抑制二极管导通，所述第一熔断打线熔断，所述瞬态电压抑制二极管泄放脉冲能量；当浪涌电压超出所述瞬态电压抑制二极管的承受范围后，所述瞬态电压抑制二极管被击穿导致短路，此时所述第一熔断打线熔断。

全文数据：

权利要求：

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