申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

申请日：2024-01-12

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894811A

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146;B82Y15/00;B82Y30/00;B82Y40/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本发明提供了一种基于卤化物钙钛矿纳米晶的射线图像传感器及其制备方法，涉及射线探测器技术领域。该基于卤化物钙钛矿纳米晶的射线图像传感器包括：衬底；阳极氧化铝模板，设于衬底上，阳极氧化铝模板上分布有纳米孔洞，纳米孔洞内填充有钙钛矿纳米晶材料，其中，钙钛矿纳米晶材料的带隙朝着远离衬底的方向逐渐减小。该基于卤化物钙钛矿纳米晶的射线图像传感器，引入了带隙梯度变化的无机钙钛矿纳米晶构成的纳米线结构，纳米线带隙由底层到顶层逐渐降低，确保上层产生的光不被下层的钙钛矿纳米晶吸收，从而解决了自吸收问题。

主权项：1.一种基于卤化物钙钛矿纳米晶的射线图像传感器，其特征在于，包括：衬底；阳极氧化铝模板，设于所述衬底上，所述阳极氧化铝模板上分布有纳米孔洞，所述纳米孔洞内填充有钙钛矿纳米晶材料，其中，所述钙钛矿纳米晶材料的带隙朝着远离所述衬底的方向逐渐减小。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院半导体研究所 基于卤化物钙钛矿纳米晶的射线图像传感器及其制备方法

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