申请/专利权人：浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司

申请日：2023-12-07

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117904713A

主分类号：C30B25/14

分类号：C30B25/14;C30B25/12;C30B25/10;C30B29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明公开了改善硅片电阻率均一性的硅片外延生长支撑设备及方法，涉及到硅片外延生长支撑设备技术领域，包括旋转底座加热器，旋转底座加热器的内部设置有用于消除旋转流的导流机构，导流机构的内部设置有负压吸附硅片的支撑机构，支撑机构的内部设置有为硅片升温的导热机构，支撑机构的中心处设置有消除浮力流的浮流消除机构，且浮流消除机构配合导流机构增加气体流速加速硅片外延生长。本发明设置的导流机构和浮流消除机构能够带来如下效果：气体流动的均匀性：通过旋叶和锥帽的设计，气体被分散贴合在支撑机构表面，形成均匀的气体流动，有助于提高外延膜的生长均一性。

主权项：1.一种改善硅片电阻率均一性的硅片外延生长支撑设备，包括旋转底座加热器1，其特征在于：所述旋转底座加热器1的内部设置有用于消除旋转流的导流机构2，所述导流机构2的内部设置有负压吸附硅片的支撑机构5，所述支撑机构5的内部设置有为硅片升温的导热机构4，所述支撑机构5的中心处设置有消除浮力流的浮流消除机构3，且浮流消除机构3配合导流机构2增加气体流速加速硅片外延生长；所述导流机构2包括安装在旋转底座加热器1内壁的外壳21，所述外壳21的内壁设置有若干个呈环形阵列分布的旋流叶片22。

全文数据：

权利要求：

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