申请/专利权人：半导体元件工业有限责任公司

申请日：2019-04-24

公开（公告）日：2020-07-17

公开（公告）号：CN211045446U

主分类号：H01L29/872(20060101)

分类号：H01L29/872(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/329(20060101)

优先权：["20180627 US 16/020,719"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.07.17#授权

摘要：本实用新型题为“半导体器件结构”。半导体器件结构包括具有有源区域和终端区域的半导体材料区域。有源结构设置在所述有源区域中，并且终端结构设置在所述终端区域中。在一个实施方案中，所述终端结构包括终端沟槽和在所述终端沟槽内的导电结构，并且通过电介质结构与所述半导体材料区域电隔离。电介质层设置成与所述终端沟槽重叠，以提供所述终端结构作为浮动结构。肖特基接触区域设置在所述有源区域内。导电层电连接到所述肖特基接触区域，并且所述第一导电层延伸到所述电介质层的表面上并与所述终端沟槽的至少一部分横向重叠。

主权项：1.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括：半导体材料区域，所述半导体材料区域包括：第一导电类型；第一主表面；第二主表面，所述第二主表面与所述第一主表面相对；有源区域；以及终端区域；有源结构，所述有源结构设置在所述有源区域中并包括：第一有源沟槽，所述第一有源沟槽从所述第一主表面延伸到所述半导体材料区域中至第一深度；以及第一导电结构，所述第一导电结构在所述第一有源沟槽内并通过第一电介质结构与所述半导体材料区域电隔离，其中所述第一有源沟槽具有靠近所述第一主表面的第一宽度；终端结构，所述终端结构设置在所述终端区域中并包括：第一终端沟槽，所述第一终端沟槽从所述第一主表面延伸到所述半导体材料区域中至第二深度；第二导电结构，所述第二导电结构在所述第一终端沟槽内并通过第二电介质结构与所述半导体材料区域电隔离，其中：所述第一终端沟槽包括：靠近所述第一主表面的第二宽度；第一侧表面；第二侧表面，所述第二侧表面与所述第一侧表面相对；以及第一下表面，所述第一下表面在所述第一侧表面和所述第二侧表面之间延伸；所述第一侧表面插置在所述第二侧表面和所述第一有源沟槽之间；以及所述第二导电结构包括：第一导电间隔部，所述第一导电间隔部设置成靠近所述第一终端沟槽的所述第一侧表面；以及第二导电间隔部，所述第二导电间隔部设置成靠近所述第一终端沟槽的所述第二侧表面；以及电介质层，所述电介质层设置成覆盖所述第一主表面的一部分并与所述第一导电间隔部重叠并与所述第二导电间隔部重叠；肖特基接触结构，所述肖特基接触结构邻近所述第一主表面设置在所述第一有源沟槽的相对侧上；第一掺杂区域，所述第一掺杂区域在所述半导体材料区域中与所述第一终端沟槽的第一侧表面邻近并从所述第一主表面延伸至第三深度；第二掺杂区域，所述第二掺杂区域在所述半导体材料区域中与所述第一终端沟槽的第二侧表面邻近并从所述第一主表面延伸至第四深度；以及第一导电层，所述第一导电层设置成覆盖所述第一主表面并电耦合到所述肖特基接触结构。

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