申请/专利权人：信越化学工业株式会社

申请日：2020-01-21

公开（公告）日：2020-07-28

公开（公告）号：CN111458980A

主分类号：G03F7/075(20060101)

分类号：G03F7/075(20060101);G03F7/11(20060101)

优先权：["20190122 JP 2019-008818"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.08.11#授权;2020.08.21#实质审查的生效;2020.07.28#公开

摘要：本发明涉及一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法。本发明目的为提供在利用以酸作为催化剂的化学增幅抗蚀剂形成的微细图案中可改善LWR、CDU的抗蚀剂下层膜。解决方法为一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物，至少含有：下述通式P‑0表示的化合物的1种或2种以上，及热交联性聚硅氧烷Sx。[化1]在此，R100表示经1个或2个以上的氟原子取代的2价有机基团，R101及R102分别独立地表示碳数1～20的直链状或分支状或环状的1价烃基。R103表示碳数1～20的直链状或分支状或环状的2价烃基。又，R101和R102、或R101和R103也可互相键结并和式中的硫原子一起形成环。L104表示单键或碳数1～20的直链状或分支状或环状的2价烃基。

主权项：1.一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物，至少含有：下述通式P-0表示的化合物的1种或2种以上，及热交联性聚硅氧烷Sx； 在此，R100表示经1个或2个以上的氟原子取代的2价有机基团，R101及R102分别独立地表示也可经杂原子取代或也可插入杂原子的碳数1～20的直链状或分支状或环状的1价烃基；R103表示也可经杂原子取代或也可插入杂原子的碳数1～20的直链状或分支状或环状的2价烃基；又，R101和R102、或R101和R103也可互相键结并和式中的硫原子一起形成环；L104表示单键或也可经杂原子取代或也可插入杂原子的碳数1～20的直链状或分支状或环状的2价烃基。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 信越化学工业株式会社 含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法

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