申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2019-04-02

公开（公告）日：2020-10-13

公开（公告）号：CN111769043A

主分类号：H01L21/28(20060101)

分类号：H01L21/28(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/51(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.02.17#授权;2020.10.30#实质审查的生效;2020.10.13#公开

摘要：一种栅介质层的形成方法、半导体结构及其形成方法，所述栅介质层的形成方法包括：提供基底，在所述基底上形成栅介质层，所述栅介质层具有目标物理厚度和目标电学厚度；对所述栅介质层进行掺氮处理，并通过调整所述掺氮处理的掺杂剂量，适于使所述栅介质层的电学厚度等于所述目标电学厚度；其中，所述栅介质层的目标物理厚度满足：在所述掺氮处理后，氮在所述栅介质层中向所述基底表面扩散的纵向距离小于所述目标物理厚度。本发明实施例有利于在保证所述栅介质层的电学厚度满足电性需求的同时，改善所述栅介质层和基底界面处的界面缺陷。

主权项：1.一种栅介质层的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成栅介质层，所述栅介质层具有目标物理厚度和目标电学厚度；对所述栅介质层进行掺氮处理，并通过调整所述掺氮处理的掺杂剂量，适于使所述栅介质层的电学厚度等于所述目标电学厚度；其中，所述栅介质层的目标物理厚度满足：在所述掺氮处理后，氮在所述栅介质层中向所述基底表面扩散的纵向距离小于所述目标物理厚度。

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百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 栅介质层的形成方法、半导体结构及其形成方法

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