申请/专利权人：深圳比亚迪微电子有限公司

申请日：2019-04-09

公开（公告）日：2020-10-20

公开（公告）号：CN111799327A

主分类号：H01L29/78(20060101)

分类号：H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.02.12#实质审查的生效;2020.10.20#公开

摘要：本发明提供了半导体功率器件。该半导体功率器件包括衬底、外延层、阱区、栅极和JFET区，所述阱区包括：多个第一阱区，多个所述第一阱区间隔分布，且每个所述第一阱区在所述衬底上的正投影为圆形；第二阱区，每个所述第一阱区与所述第二阱区之间具有间隙，每个所述间隙构成一个所述JFET区，每个所述JFET区在所述衬底上的正投影为圆环形，且每个所述圆环形的环宽相等。该半导体功率器件的结构中不存在击穿薄弱点，可以承受较高的电场强度，使用寿命长，可靠性好。

主权项：1.一种半导体功率器件，包括衬底、外延层、阱区、栅极和JFET区，其特征在于，所述阱区包括：多个第一阱区，多个所述第一阱区间隔分布，且每个所述第一阱区在所述衬底上的正投影为圆形；第二阱区，每个所述第一阱区与所述第二阱区之间具有间隙，每个所述间隙构成一个所述JFET区，每个所述JFET区在所述衬底上的正投影为圆环形，且每个所述圆环形的环宽相等。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳比亚迪微电子有限公司 半导体功率器件

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