申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2017-12-14

公开（公告）日：2021-01-01

公开（公告）号：CN112164716A

主分类号：H01L29/423(20060101)

分类号：H01L29/423(20060101);H01L29/40(20060101);H01L27/11517(20170101);H01L27/11521(20170101);H01L27/11531(20170101);H01L21/66(20060101)

优先权：["20161215 US 62/435,022","20171115 US 15/814,189"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.01.19#实质审查的生效;2021.01.01#公开

摘要：测试邻近的半导体器件之间的桥接的方法包括在半导体衬底上形成图案化的扩散区域，并且在扩散区域上方形成第一导电层。将第一导电层图案化成与图案化的扩散区域相同的图案。去除第一导电层的暴露部分以暴露扩散区域的部分。在扩散区域的暴露部分上方形成源极漏极区域，并且在源极漏极区域上方形成介电层。在介电层上方形成第三导电层。沿着第一方向去除第二导电层的相对端部以暴露第一导电层的相对的第一和第二端部。测量第一导电层的相对的第一和第二端部之间的第一导电层两端的电阻。本发明的实施例还涉及测试结构。

主权项：1.一种用于测试邻近的半导体器件之间的桥接的方法，包括：在半导体衬底上形成图案化的扩散区域；在所述扩散区域上方形成第一导电层，其中，将所述第一导电层图案化成与所述图案化的扩散区域相同的图案；在所述第一导电层上方形成在第一方向上延伸的第二导电层；图案化所述第二导电层以在所述第二导电层的中心区域中形成在所述第一方向上延伸的开口以暴露所述第一导电层的部分；去除所述第一导电层的暴露部分以暴露所述扩散区域的部分；在所述扩散区域的暴露部分上方形成源极漏极区域；在所述源极漏极区域上方形成介电层；在所述介电层上方形成第三导电层；去除所述第二导电层的沿着所述第一方向的相对端部以暴露所述第一导电层的相对的第一端部和第二端部；以及测量所述第一导电层的所述相对的第一端部和第二端部之间的所述第一导电层两端的电阻。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 用于测试邻近的半导体器件中的桥接的方法和测试结构

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