申请/专利权人：爱思开海力士有限公司

申请日：2019-12-27

公开（公告）日：2021-01-08

公开（公告）号：CN112201641A

主分类号：H01L23/488(20060101)

分类号：H01L23/488(20060101);H01L23/52(20060101);H01L25/065(20060101)

优先权：["20190708 KR 10-2019-0081983"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.01.26#实质审查的生效;2021.01.08#公开

摘要：包括层叠的半导体芯片的半导体封装件。该半导体封装件包括：基板，其包括开口；第一半导体芯片，其设置在基板上，包括通过开口暴露的多个第一芯片焊盘；第二半导体芯片，其设置在第一半导体芯片上以与第一半导体芯片部分地交叠，包括与开口对齐的多个第二芯片焊盘；以及重分布层，其形成在其上设置有第二半导体芯片的第二芯片焊盘的表面上。第二芯片焊盘中的一个或更多个与第一半导体芯片交叠并被第一半导体芯片覆盖，并且第二芯片焊盘的其余焊盘通过开口暴露。重分布层包括通过开口暴露的重分布焊盘，并且包括被配置为将第二芯片焊盘中的一个或更多个连接至重分布焊盘的重分布线。

主权项：1.一种半导体封装件，该半导体封装件包括：基板，该基板包括开口；第一半导体芯片，该第一半导体芯片被设置在所述基板上，包括通过所述开口暴露的多个第一芯片焊盘；第二半导体芯片，该第二半导体芯片被设置在所述第一半导体芯片上以与所述第一半导体芯片部分地交叠，该第二半导体芯片包括与所述开口对齐的多个第二芯片焊盘；以及重分布层，该重分布层形成在其上设置有所述第二半导体芯片的所述第二芯片焊盘的表面上，其中，所述第二芯片焊盘中的一个或更多个与所述第一半导体芯片交叠并且被所述第一半导体芯片覆盖，并且所述第二芯片焊盘的其余焊盘通过所述开口暴露，并且其中，所述重分布层包括通过所述开口暴露的重分布焊盘，并且包括被配置为将所述第二芯片焊盘中的所述一个或更多个连接至所述重分布焊盘的重分布线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 爱思开海力士有限公司 包括层叠的半导体芯片的半导体封装件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD