申请/专利权人：芯恩(青岛)集成电路有限公司

申请日：2019-07-09

公开（公告）日：2021-01-12

公开（公告）号：CN112213922A

主分类号：G03F7/20(20060101)

分类号：G03F7/20(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.11.01#授权;2021.01.29#实质审查的生效;2021.01.12#公开

摘要：本发明提供一种光刻曝光条件设定方法，通过在一个方向上以固定步长改变聚焦值，另一个方向以另一个固定步长改变曝光能量，在所述光刻胶层上形成由多个曝光条件不同的曝光区域，并检测每个所述曝光区域的多个点，并进行相应的计算，提高了曝光条件设定的准确性和可靠性。

主权项：1.一种光刻曝光条件设定方法，其特征在于，所述光刻曝光条件设定方法包括：提供待曝光晶圆，所述晶圆上具有一光刻胶层；通过在一个方向上以固定步长改变聚焦值，另一个方向以另一个固定步长改变曝光能量，在所述光刻胶层上形成由多个曝光条件不同的曝光区域组成的第一阵列；每个所述曝光区域具有第一曝光图案，所述第一曝光图案为多个第二曝光图案组成的第二阵列；用扫描式电子显微镜依次对多个所述曝光区域进行照射，并检测收集当前被照射的所述曝光区域的多个所述第二曝光图案的形貌数据；对检测收集的所述第二曝光图案的形貌数据进行计算，并选择出符合制程要求的聚焦值范围和曝光能量值范围。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 芯恩(青岛)集成电路有限公司 一种光刻曝光条件的设定方法

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