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【发明公布】晶片的加工方法_株式会社迪思科_202010829874.3 

申请/专利权人:株式会社迪思科

申请日:2020-08-18

公开(公告)日:2021-02-23

公开(公告)号:CN112397433A

主分类号:H01L21/683(20060101)

分类号:H01L21/683(20060101);H01L21/304(20060101)

优先权:["20190819 JP 2019-149721"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2022.08.05#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要:提供晶片的加工方法,能够将在实施磨削加工时附着于卡盘工作台所保持的晶片上的磨削屑充分地去除。晶片的加工方法具有如下的工序:热压接片配设工序,在晶片的正面上配设覆盖晶片的大小的热压接片;一体化工序,对热压接片进行加热并且利用平坦部件进行按压,使热压接片平坦化并且与晶片一体化;磨削工序,将热压接片侧保持于磨削装置的卡盘工作台,一边向晶片的背面提供磨削水一边磨削至规定的厚度;以及热压接片清洗工序,从卡盘工作台搬出一体化后的晶片,对热压接片进行清洗。

主权项:1.一种晶片的加工方法,对由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片的背面进行磨削,其中,该晶片的加工方法具有如下的工序:热压接片配设工序,在该晶片的正面上配设覆盖该晶片的大小的热压接片;一体化工序,对该热压接片进行加热并且利用平坦部件进行按压,使该热压接片平坦化并且使该热压接片和该晶片一体化;磨削工序,在实施了该一体化工序之后,将该热压接片侧保持于磨削装置的卡盘工作台,一边向该晶片的背面提供磨削水一边将该晶片磨削至期望的厚度;以及热压接片清洗工序,在实施了该磨削工序之后,从该卡盘工作台搬出一体化后的该晶片和该热压接片,对该热压接片进行清洗。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社迪思科 晶片的加工方法

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