申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2019-10-24

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN112713086A

主分类号：H01L21/308(20060101)

分类号：H01L21/308(20060101);H01L21/3065(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.05.14#实质审查的生效;2021.04.27#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成前驱体层；对所述前驱体层进行退火处理，使所述前驱体层形成若干相互分立的初始第一掩膜层和第二掩膜层，所述第二掩膜层位于相邻的初始第一掩膜层之间；对所述初始第一掩膜层进行改性处理，形成第一掩膜层；刻蚀去除所述第二掩膜层，所述刻蚀去除第二掩膜层的工艺对第一掩膜层材料的刻蚀速率小于对初始第一掩膜层材料的刻蚀速率。所形成的半导体结构性能得到提升。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成前驱体层；对所述前驱体层进行退火处理，使所述前驱体层形成若干相互分立的初始第一掩膜层和第二掩膜层，所述第二掩膜层位于相邻的初始第一掩膜层之间；对所述初始第一掩膜层进行改性处理，形成第一掩膜层；刻蚀去除所述第二掩膜层，所述刻蚀去除第二掩膜层的工艺对第一掩膜层材料的刻蚀速率小于对初始第一掩膜层材料的刻蚀速率。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法

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