申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2019-10-24

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN112713087A

主分类号：H01L21/311(20060101)

分类号：H01L21/311(20060101);H01L21/768(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.05.14#实质审查的生效;2021.04.27#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有待刻蚀层；在待刻蚀层上形成核心层、以及位于核心层中的多个牺牲层，多个牺牲层之间间隔排布；去除相邻的牺牲层之间的部分核心层，形成贯穿核心层的第一凹槽，第一凹槽的侧壁暴露出牺牲层；对第一凹槽侧壁的核心层进行第一离子掺杂处理，适于增大第一凹槽侧壁的核心层的耐刻蚀度；在第一凹槽的侧壁形成侧墙；在进行第一离子掺杂处理和形成侧墙后，去除牺牲层，形成贯穿核心层的第二凹槽，第二凹槽和第一凹槽之间被侧墙隔离；以核心层和侧墙为掩膜，刻蚀第一凹槽和第二凹槽底部的待刻蚀层。本发明实施例有利于降低第一凹槽侧壁的核心层在去除牺牲层的步骤中被误刻蚀的概率。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成核心层、以及位于所述核心层中的多个牺牲层，所述多个牺牲层之间间隔排布；去除相邻的所述牺牲层之间的部分所述核心层，在核心层中形成贯穿核心层的第一凹槽，第一凹槽的侧壁暴露出牺牲层；对所述第一凹槽侧壁的所述核心层进行第一离子掺杂处理，适于增大第一凹槽侧壁的核心层的耐刻蚀度；在所述第一凹槽的侧壁形成侧墙；在进行第一离子掺杂处理和形成所述侧墙后，去除所述牺牲层，在核心层中形成贯穿核心层的多个第二凹槽，第二凹槽和第一凹槽之间被侧墙隔离；以所述核心层和侧墙为掩膜，刻蚀所述第一凹槽和第二凹槽底部的所述待刻蚀层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法

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