申请/专利权人：日机装株式会社

申请日：2021-04-22

公开（公告）日：2021-11-19

公开（公告）号：CN113675310A

主分类号：H01L33/32(20100101)

分类号：H01L33/32(20100101);H01L33/14(20100101);H01L33/36(20100101);H01L33/00(20100101)

优先权：["20200513 JP 2020-084536"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开

摘要：本发明提供一种抑制因半导体发光元件的通电使用而导致的光输出的降低的半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法。半导体发光元件10包括：n型半导体层24；设于n型半导体层24的第1上表面24a的活性层26；设于活性层26上的p型半导体层28；与p型半导体层28的上表面28a接触设置的p侧接触电极30；在p侧接触电极30上设于比p侧接触电极30的形成区域窄的区域内的p侧电流扩散层32；设于p侧电流扩散层32上的p侧焊盘电极44；与n型半导体层24的第2上表面24b接触设置的n侧接触电极34；在n侧接触电极34上遍及比n侧接触电极34的形成区域大的区域而设置、包含TiN层的n侧电流扩散层36；以及设于n侧电流扩散层36上的n侧焊盘电极46。

主权项：1.一种半导体发光元件，其特征在于，包括：由n型AlGaN系半导体材料构成的n型半导体层，设于所述n型半导体层的第1上表面，由AlGaN系半导体材料构成的活性层，设于所述活性层上的p型半导体层，与所述p型半导体层的上表面接触设置的p侧接触电极，在所述p侧接触电极上设于比所述p侧接触电极的形成区域窄的区域内的p侧电流扩散层，设于所述p侧电流扩散层上的p侧焊盘电极，与所述n型半导体层的第2上表面接触设置的n侧接触电极，在所述n侧接触电极上遍及比所述n侧接触电极的形成区域大的区域而设置，包含TiN层的n侧电流扩散层，以及设于所述n侧电流扩散层上的n侧焊盘电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 日机装株式会社 半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法

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