申请/专利权人：日机装株式会社

申请日：2021-04-22

公开（公告）日：2021-11-19

公开（公告）号：CN113675309A

主分类号：H01L33/32(20100101)

分类号：H01L33/32(20100101);H01L33/14(20100101);H01L33/36(20100101);H01L33/00(20100101)

优先权：["20200513 JP 2020-084537"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开

摘要：本发明提供一种提高半导体发光元件的可靠性的半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法。半导体发光元件10包括：n型半导体层24；设于n型半导体层24的第1上表面24a的活性层26；设于活性层26上的p型半导体层28；与p型半导体层28的上表面28a接触的p侧接触电极30；设于p侧接触电极30上的p侧电流扩散层32；与n型半导体层24的第2上表面24b接触的n侧接触电极34；以及包含设于n侧接触电极34上的第1电流扩散层48和设于第1电流扩散层48上的第2电流扩散层50，并包含TiN层的n侧电流扩散层36。p侧接触电极30的上表面30a的高度位置与第1电流扩散层48的上表面48d的高度位置的差为100nm以下，p侧电流扩散层32的上表面32d的高度位置与第2电流扩散层50的上表面50d的高度位置的差为100nm以下。

主权项：1.一种半导体发光元件，其特征在于，包括：由n型AlGaN系半导体材料构成的n型半导体层，设于所述n型半导体层的第1上表面，由AlGaN系半导体材料构成的活性层，设于所述活性层上的p型半导体层，与所述p型半导体层的上表面接触设置的p侧接触电极，设于所述p侧接触电极上的p侧电流扩散层，设于所述p侧电流扩散层上的p侧焊盘电极，与所述n型半导体层的第2上表面接触设置的n侧接触电极，包含设于所述n侧接触电极上的第1电流扩散层和设于所述第1电流扩散层上的第2电流扩散层，并包含TiN层的n侧电流扩散层，以及设于所述n侧电流扩散层上的n侧焊盘电极；所述p侧接触电极的上表面的高度位置与所述第1电流扩散层的上表面的高度位置的差为100nm以下，所述p侧电流扩散层的上表面的高度位置与所述第2电流扩散层的上表面的高度位置的差为100nm以下。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 日机装株式会社 半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法

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