申请/专利权人：合肥新晶集成电路有限公司

申请日：2022-08-26

公开（公告）日：2022-09-23

公开（公告）号：CN115101437A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;G01R31/26;G01N21/41

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.06#授权;2022.10.14#实质审查的生效;2022.09.23#公开

摘要：本申请提供了一种晶圆的测试方法、测试装置以及晶圆测试系统，该方法包括：获取目标折射率，目标折射率为待测晶圆的多晶硅薄膜的折射率，待测晶圆包括控片以及覆盖控片的多晶硅薄膜；至少根据目标折射率以及数据信息，确定待测晶圆的电性数据，其中，数据信息包括多个历史折射率以及对应的历史电性数据，历史折射率为历史多晶硅薄膜的折射率，历史电性数据为包括历史多晶硅薄膜的历史晶圆的电性数据。本申请实现了根据多晶硅薄膜的光学数据确定其电性数据的效果，避免了晶圆流片后再对晶圆进行WAT测试，来确定晶圆多晶硅薄膜的质量，造成多晶硅薄膜质量监控滞后的问题，避免了多晶硅薄膜异常无法及时发现并处理，造成大量不良品的问题。

主权项：1.一种晶圆的测试方法，其特征在于，包括：获取目标折射率，所述目标折射率为待测晶圆的多晶硅薄膜的折射率，所述待测晶圆包括控片以及覆盖所述控片的所述多晶硅薄膜；至少根据所述目标折射率以及数据信息，确定所述待测晶圆的电性数据，其中，所述数据信息包括多个历史折射率以及对应的历史电性数据，所述历史折射率为历史多晶硅薄膜的折射率，所述历史电性数据为包括所述历史多晶硅薄膜的历史晶圆的电性数据。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥新晶集成电路有限公司 晶圆的测试方法、测试装置以及晶圆测试系统

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