申请/专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司

申请日：2022-08-15

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115050710B

主分类号：H01L23/38

分类号：H01L23/38;H05K7/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.12.02#授权;2022.09.30#实质审查的生效;2022.09.13#公开

摘要：本发明公开了一种变频器MOSFET的散热装置及散热方法，涉及变频器散热技术领域,包括感应模块、第一传输模块、分析模块、第二传输模块、第一控制模块、第一散热模块、第二控制模块、第二散热模块、档位控制模块、复测模块、第三控制模块；本发明通过分析模块对接受到的温度信息进行分析、判断，并通过区间模块识别温度信息的所属区间，进而能够有效的对变频器主体及时做出不同程度的散热处理，温度升高时，通过不同程度的散热处理，能够有效的提高了变频器主体的使用寿命，同时，在降温结束后，通过复测模块对降温后的变频器主体进行温度复测，温度达到规范值后，将依次关闭散热处理，进而有效的降低了散热成本。

主权项：1.一种变频器MOSFET的散热方法，所述变频器MOSFET设置有散热装置，所述散热装置包括螺钉连接在变频器主体（100）上的散热外壳，所述散热外壳包括感应模块（200）、第一传输模块（300）、分析模块（400）、第二传输模块（500）、第一控制模块（600）、第一散热模块（700）、第二控制模块（800）、第二散热模块（900）、档位控制模块（1000）、复测模块（1100）、第三控制模块（1200）；所述感应模块（200）用于感应变频器主体（100）表面温度；所述第一传输模块（300）用于传输感应模块（200）感应的温度数据；所述分析模块（400）用于分析第一传输模块（300）输送的温度数据；所述第二传输模块（500）用于传输分析模块（400）输出的散热指令；所述第一控制模块（600）用于控制第一散热模块（700）进行散热操作；所述第一散热模块（700）用于对变频器主体（100）进行一级散热；所述第二控制模块（800）用于控制第二散热模块（900）进行散热操作；所述第二散热模块（900）用于对变频器主体（100）进行二级散热；所述档位控制模块（1000）用于对第一散热模块（700）和第二散热模块（900）进行档位调节，对变频器主体（100）进行三级散热；所述复测模块（1100）用于对变频器主体（100）降温后的表面温度进行复测；所述第三控制模块（1200）用于控制第一散热模块（700）、第二散热模块（900）、档位控制模块（1000），其特征在于：包括以下步骤：步骤一：变频器工作状态下，感应模块（200）对变频器主体（100）进行不断测温；步骤二：感应模块（200）测得的温度数据将通过第一传输模块（300）实时传输到分析模块（400）内；步骤三：分析模块（400）接收到温度数据后，将对温度数据进行判断识别；步骤四：若温度低于设定值，将结束此次温度数据传输；若温度高于设定值，将把此次温度数据进行判断识别；步骤五：对温度数据进行判断识别后，将温度数据传输至对应的区间模块；步骤六：分析后的温度数据若为第一区间，温度数据将通过第二传输模块（500）传输至第一控制模块（600）内，第一控制模块（600）将控制第一散热模块（700）进行一级散热；分析后的温度数据若为第二区间，温度数据将通过第二传输模块（500）传输至第一控制模块（600）、第二控制模块（800）内，第一控制模块（600）控制第一散热模块（700）进行一级散热，第二控制模块（800）将控制第二散热模块（900）进行二级散热；分析后的温度区间若为第三区间，温度数据将通过第二传输模块（500）传输至第一控制模块（600）、第二控制模块（800）内，第一控制模块（600）控制第一散热模块（700）进行一级散热，第二控制模块（800）将控制第二散热模块（900）进行二级散热，同时会将温度数据传输通过第二传输模块（500）至档位控制模块（1000），档位控制模块（1000）将会对第一散热模块（700）、第二散热模块（900）进行升档操作进行三级散热；步骤七：降温后，复测模块（1100）将对变频器主体（100）进行温度复测；步骤八：复测后温度达标，复测模块（1100）将通过第三控制模块（1200）直接控制第一散热模块（700）、第二散热模块（900）、档位控制模块（1000）进行停止操作；步骤九：完成降温，感应模块（200）持续工作对变频器主体（100）进行温度感应。

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