申请/专利权人：瑶芯微电子科技(上海)有限公司

申请日：2022-05-09

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN114843192B

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.06#授权;2022.08.19#实质审查的生效;2022.08.02#公开

摘要：本发明提供一种提高超结结构外延生长稳定性及半导体器件制备的方法，超结结构的第二导电类型掺杂柱是通过多层外延沉积生长和离子注入联合形成的，且同一个批次的半导体基底按片号从小往大的顺序以及按片号从大往小的顺序依次交替送入外延生长机台中，从而，本发明通过调整同一个批次的半导体基底在制备第一导电类型外延层过程中的奇偶层的跑货顺序，使得奇偶层制备的第一导电类型外延层可实现互补，以提高制备的外延掺杂层总的厚度和质量的稳定性，进而实现半导体器件的电性BVDS的均一稳定性。

主权项：1.一种提高超结结构外延生长稳定性的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供外延生长机台及待外延生长的半导体基底，且在一个批次中所述半导体基底至少包括第1片至第N片，N≥2；于所述半导体基底上进行外延沉积生长形成第一导电类型外延层，并于所述第一导电类型外延层中进行离子注入，以在所述第一导电类型外延层中形成第二导电类型掺杂区；重复所述外延沉积生长及所述离子注入的步骤，以于所述半导体基底上形成堆叠的外延掺杂层；其中，在进行所述外延沉积生长形成相邻的所述第一导电类型外延层时，同一个批次的所述半导体基底按片号从小往大的顺序以及按片号从大往小的顺序依次交替送入所述外延生长机台中；进行退火处理，将各个所述第二导电类型掺杂区相连接，以于所述外延掺杂层中形成第二导电类型掺杂柱。

全文数据：

权利要求：

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