申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2020-01-13

公开（公告）日：2023-03-21

公开（公告）号：CN113113485B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.21#授权;2021.07.30#实质审查的生效;2021.07.13#公开

摘要：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其形成方法包括：提供衬底，在衬底上形成源漏掺杂层；在源漏掺杂层上形成介质层；依次刻蚀介质层、位于介质层底部的源漏掺杂层以及位于源漏掺杂层底部的部分厚度衬底，形成接触孔；在接触孔的底部、接触孔侧壁上形成保护层；在接触孔底部的保护层上形成牺牲层，牺牲层覆盖接触孔侧壁的部分保护层；去除牺牲层未覆盖的保护层；去除牺牲层；本发明一方面在后续的工艺中能够减少源漏掺杂层与位于源漏掺杂层上的导电层之间的接触电阻，提高半导体器件的电学性能和减少了半导体器件在使用过程中出现的热效应，同时避免了硅化层与衬底之间的漏电问题，提高了形成的半导体器件性能的可靠性和质量。

主权项：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成源漏掺杂层；在所述源漏掺杂层上形成介质层；依次刻蚀所述介质层、位于所述介质层底部的所述源漏掺杂层以及位于所述源漏掺杂层底部的部分厚度所述衬底，形成接触孔；在所述接触孔的底部、所述接触孔侧壁上形成保护层；在所述接触孔底部的所述保护层上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述接触孔侧壁的部分所述保护层；去除所述牺牲层未覆盖的所述保护层；去除所述牺牲层；在所述保护层上形成硅化层；在所述硅化层上形成导电层，所述导电层填充满所述接触孔，所述保护层将所述硅化层与所述衬底电隔离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件及其形成方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD