申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2023-04-03

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN116171042A

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00;H01L29/45

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.13#实质审查的生效;2023.05.26#公开

摘要：本公开提供了一种半导体结构的制备方法，该半导体结构的制备方法包括如下步骤：提供衬底，衬底中包括有源区、第一绝缘部和第二绝缘部，第一绝缘部和第二绝缘部之间具有有源区；在第一绝缘部和第二绝缘部之间的有源区中制备电接触孔，以及，在电接触孔中制备源漏接触，源漏接触包括一层碳化硅子层或多层依次叠置的碳化硅子层；其中，制备各碳化硅子层的步骤包括：在电接触孔中制备碳化硅材料层，碳化硅材料层包括非晶态碳化硅和晶态碳化硅，去除非晶态碳化硅，以保留的晶态碳化硅作为碳化硅子层。其中，碳化硅与有源区的有源区的界面晶格不匹配，因而在源漏接触中引入了压应力，从而能够增加载流子的迁移率，进而提高器件的电流。

主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底，所述衬底中包括有源区、第一绝缘部和第二绝缘部，所述第一绝缘部和所述第二绝缘部之间具有所述有源区；刻蚀位于所述第一绝缘部和所述第二绝缘部之间的有源区，形成电接触孔，以及，在所述电接触孔中制备源漏接触，所述源漏接触包括一层碳化硅子层或多层依次叠置的碳化硅子层；其中，制备各所述碳化硅子层的步骤包括：在所述电接触孔中制备碳化硅材料层，所述碳化硅材料层包括非晶态碳化硅和晶态碳化硅，去除所述非晶态碳化硅，以保留的所述晶态碳化硅作为所述碳化硅子层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制备方法及半导体结构

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