申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2019-04-09

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN110660857B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L21/336

优先权：["20180629 US 62/691,901","20180904 US 16/120,677"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.26#授权;2020.02.04#实质审查的生效;2020.01.07#公开

摘要：本公开涉及半导体工艺的方法及半导体器件。公开了形成作为氧化阻挡层的含氮层的方法，该方法包括：在晶片上形成硅层；以及形成与所述硅层接触的氧化物层。在形成所述氧化物层之后，在所述硅层与所述氧化物层之间形成与所述硅层和所述氧化物层接触的氮化硅层。然后去除所述硅层的一部分。

主权项：1.一种用于执行半导体处理的方法，包括：在晶片上形成硅层；形成与所述硅层接触的氧化物层；以及在形成所述氧化物层之后，在含有氨的环境中对所述晶片进行退火，以在所述硅层与所述氧化物层之间形成与所述硅层和所述氧化物层接触的电介质阻挡层，其中，在所述退火期间，所述氧化物层暴露于所述氨，并且所述氧化物层将所述硅层与所述环境分离，其中，所述电介质阻挡层包括硅和氮，并且其中，所述电介质阻挡层的氮浓度高于所述氧化物层的氮浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体工艺的方法及半导体器件

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