申请/专利权人：英特尔公司

申请日：2017-12-21

公开（公告）日：2023-05-30

公开（公告）号：CN116190326A

主分类号：H01L23/31

分类号：H01L23/31;H01L23/528;H01L23/48;H01L23/367

优先权：["20161229 US 62/440,275"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开

摘要：描述了超芯片结构和制作超芯片的方法。在示例中，一种集成电路组件包括具有与背侧相对的器件侧的第一集成电路芯片。所述器件侧包括多个晶体管器件以及多个器件侧接触点。所述背侧包括多个背侧接触部。第二集成电路芯片包括具有位于其上的多个器件接触点的器件侧。所述第二集成电路芯片按照器件侧对器件侧配置处于所述第一集成电路芯片上。所述第二集成电路芯片的多个器件接触点中的器件接触点耦合至所述第一集成电路芯片的多个器件接触点中的器件接触点。从平面图的角度来看所述第二集成电路芯片比所述第一集成电路芯片小。

主权项：1.一种集成电路组件，包括：第一集成电路芯片，其包括与背侧相对的器件侧，所述器件侧包括晶体管器件和金属层，所述金属层包括最顶部金属层和最底部金属层，所述第一集成电路芯片包括穿硅过孔，所述穿硅过孔从所述背侧延伸至所述最底部金属层与所述最顶部金属层之间的位置处，并且所述第一集成电路芯片具有覆盖区域；以及第二集成电路芯片，其耦合至所述第一集成电路芯片，所述第二集成电路芯片具有面向所述第一集成电路芯片的器件侧，并且所述第二集成电路芯片具有位于所述第一集成电路芯片的所述覆盖区域之内的覆盖区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英特尔公司 超芯片

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