申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司

申请日：2023-03-06

公开（公告）日：2023-05-30

公开（公告）号：CN116190350A

主分类号：H01L23/544

分类号：H01L23/544;H01L21/66

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开

摘要：本申请涉及一种半导体测试结构及其测试方法、半导体结构。所述半导体测试结构，包括栅极结构。栅极结构沿第一方向延伸，包括沿第二方向刻蚀形成排布呈行的多个测试栅极；第二方向与第一方向相交。其中，衬底包括沿第一方向排布呈行的多个有源区；测试栅极位于对应有源区的上方。同一栅极结构中，不同测试栅极的刻蚀端面在第一方向上至对应有源区的距离不同。上述半导体测试结构可以通过相关测试评估出最佳的延伸设计规则，从而得到最佳工艺窗口。

主权项：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：栅极结构，沿第一方向延伸，包括：沿第二方向刻蚀形成的排布呈行的多个测试栅极；所述第二方向与所述第一方向相交；其中，衬底包括沿所述第一方向排布呈行的多个有源区；所述测试栅极位于对应有源区的上方；同一所述栅极结构中，不同所述测试栅极的刻蚀端面在所述第一方向上至对应所述有源区的距离不同。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体测试结构及其测试方法、半导体结构

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