申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司

申请日：2023-04-27

公开（公告）日：2023-07-28

公开（公告）号：CN116499997A

主分类号：G01N21/55

分类号：G01N21/55;G01N21/47;H01L21/66

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.08.15#实质审查的生效;2023.07.28#公开

摘要：本发明实施例公开了一种用于检测硅片的周缘上的缺陷的系统和方法，所述系统包括：光源，所述光源用于将入射光线发射至所述硅片的周缘上的多个特定部位处，以使所述入射光线被所述多个特定部位反射后形成反射光线；接收单元，所述接收单元用于接收所述多个特定部位反射的反射光线，其中，有缺陷的特定部位反射的反射光线中的至少一部分无法被所述接收单元接收到；判定单元，所述判定单元用于当所述接收单元接收到的反射光线的量减少设定值时判定相对应的特定部位处存在有缺陷。

主权项：1.一种用于检测硅片的周缘上的缺陷的系统，其特征在于，所述系统包括：光源，所述光源用于将入射光线发射至所述硅片的周缘上的多个特定部位处，以使所述入射光线被所述多个特定部位反射后形成反射光线；接收单元，所述接收单元用于接收所述多个特定部位反射的反射光线，其中，有缺陷的特定部位反射的反射光线中的至少一部分无法被所述接收单元接收到；判定单元，所述判定单元用于当所述接收单元接收到的反射光线的量减少设定值时判定相对应的特定部位处存在有缺陷。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种用于检测硅片的周缘上的缺陷的系统和方法

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