申请/专利权人：北京工业大学

申请日：2021-08-26

公开（公告）日：2023-09-19

公开（公告）号：CN113838927B

主分类号：H01L29/737

分类号：H01L29/737;H01L29/735;H01L29/06;H01L29/45

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.09.19#授权;2022.01.11#实质审查的生效;2021.12.24#公开

摘要：本发明公开了一种电荷等离子体SiGe异质结双极晶体管，为npn型晶体管。采用SiGe材料制备基区，与未掺杂的Si发射区和Si集电区形成异质结，通过有效改变发射结处能带结构来提高器件的电流增益。同时考虑到金属镉的功函数为4.07eV，易于与未掺杂的Si形成良好的金‑半接触，有效诱导产生n型电荷等离子体，且具有优良的导电性，较好的抗熔焊性，以及优异的抗拉强度和高耐磨性等优点，因此本发明采用金属镉作为发射极和集电极的电极材料，用于调节发射极和集电极下方对应发射区和集电区内n型载流子浓度。通过上述结构的有效配合，实现了晶体管电流增益、击穿电压和特征频率的同步提高。

主权项：1.一种电荷等离子体SiGe异质结双极晶体管，其特征在于：包括Si衬底20，SiO2埋氧层21，以及位于所述SiO2埋氧层21上方的未掺杂的Si发射区22，未掺杂的SiGe基区23和未掺杂的Si集电区24；SiO2隔离层28分别位于所述未掺杂的Si发射区22和未掺杂的Si集电区24的正上方，基极Pt电极26位于所述未掺杂的SiGe基区23的正上方且与其相接触，发射极Cd电极25位于SiO2埋氧层21的上方且分别与未掺杂的Si发射区22及其上方的SiO2隔离层28相接触，集电极Cd电极27位于SiO2埋氧层21的上方且分别与未掺杂的Si集电区24及其上方的SiO2隔离层28相接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京工业大学 一种电荷等离子体SiGe异质结双极晶体管

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