申请/专利权人：湖北三安光电有限公司

申请日：2023-10-27

公开（公告）日：2024-01-26

公开（公告）号：CN117457827A

主分类号：H01L33/38

分类号：H01L33/38;H01L33/62;H01L25/16

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.13#实质审查的生效;2024.01.26#公开

摘要：本申请提供一种高压倒装发光二极管芯片及发光装置，该高压倒装LED芯片包括N个半导体发光单元、接触电极和桥接电极，N个半导体发光单元按照预设方向排列并通过隔离槽绝缘间隔；其中，设置在第一发光单元中的第二接触电极呈环状结构，并包围第一发光单元中的第一接触电极，有效的增加了电流的扩展范围，提高了芯片的防静电击穿能力；并且该高压倒装LED芯片还包括设置在其中心区域的凸台，该凸台所在区域为顶针的作用区域，凸台与相邻的半导体发光单元通过隔离槽绝缘间隔，能够有效防止顶针作用产生的芯片漏电失效的问题；本申请还提供一种发光装置，包括上述高压倒装发光二极管芯片。

主权项：1.一种高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括：N个半导体发光单元，N个所述半导体发光单元按照预设方向排列，并且相邻所述半导体发光单元之间设置有隔离槽以间隔相邻的所述半导体发光单元，所述半导体发光单元包括依次堆叠设置的第一半导体层、有源层及第二半导体层；接触电极，设置在所述半导体发光单元中，所述接触电极包括与所述第一半导体层电连接的第一接触电极，以及与所述第二半导体层电连接的第二接触电极；桥接电极，位于所述隔离槽的上方，所述桥接电极分别与相邻两个所述半导体发光单元中的第一接触电极和第二接触电极相连，以使相邻两个所述半导体发光单元串接；焊盘层，位于所述接触电极的上方，所述焊盘层包括与所述第一接触电极电连接的第一焊盘和与所述第二接触电极电连接的第二焊盘；其中，N个所述半导体发光单元中，将位于所述第一焊盘下方的半导体发光单元记为第一发光单元，将位于所述第二焊盘下方的半导体发光单元记为第N发光单元，并且所述第一发光单元中的第二接触电极呈环状结构并包围与其对应的第一接触电极，N为大于1的正整数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北三安光电有限公司 一种高压倒装发光二极管芯片及发光装置

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