申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2021-04-26

公开（公告）日：2024-02-02

公开（公告）号：CN113224232B

主分类号：H10N50/10

分类号：H10N50/10;H10N52/80;H10N52/00;H10N52/01;G11C5/14;G11C11/16

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.02#授权;2021.08.24#实质审查的生效;2021.08.06#公开

摘要：本发明涉及一种基于底电极垂直向电压控制的SOT‑MRAM及制造、写入方法，属于半导体器件及其制造技术领域，解决了现有技术中SOT‑MRAM难以实现便于集成和产业化的磁矩定向翻转的问题。SOT‑MRAM包括铁电薄膜层，设置有两个金属电极，通过两个金属电极向铁电薄膜层施加第一电压；底电极，位于铁电薄膜层之上并设置于铁电薄膜层中部，呈长条形，在底电极两端施加第二电压；隧道结，位于底电极之上并设置于底电极中部，包括由下至上依次层叠的自由层、隧穿层和参考层；其中，两个金属电极相对设置在铁电薄膜层相对的两个边缘上，并位于所在边缘中线的一侧，且两个边缘位于底电极长边方向的两侧，通过所述两个金属电极施加第一电压的方向与底电极长边方向垂直。

主权项：1.一种基于底电极垂直向电压控制的SOT-MRAM，其特征在于，包括：铁电薄膜层，设置有两个金属电极，通过所述两个金属电极向所述铁电薄膜层施加第一电压；底电极，位于所述铁电薄膜层之上并设置于所述铁电薄膜层中部，呈长条形，在所述底电极两端施加第二电压；隧道结，位于所述底电极之上并设置于所述底电极中部，包括由下至上依次层叠的自由层、隧穿层和参考层；其中，所述两个金属电极相对设置在所述铁电薄膜层相对的两个边缘上，并位于所在边缘中线的一侧，且所述两个边缘位于所述底电极长边方向的两侧，通过所述两个金属电极施加所述第一电压的方向与所述底电极长边方向垂直。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 基于底电极垂直向电压控制的SOT-MRAM及制造、写入方法

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