申请/专利权人：无锡华润上华科技有限公司

申请日：2022-08-03

公开（公告）日：2024-02-13

公开（公告）号：CN117556761A

主分类号：G06F30/367

分类号：G06F30/367

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.13#公开

摘要：本发明涉及一种阳极短路横向绝缘栅双极晶体管模型，包括：NMOS管M1，所述NMOS管M1的源极连接所述SA‑LIGBT的发射极，所述NMOS管M1的栅极连接所述SA‑LIGBT的栅极；NPN三极管QN1，所述NPN三极管QN1的发射极连接所述NMOS管M1的漏极，所述NPN三极管QN1的集电极连接所述SA‑LIGBT的集电极；PNP三极管QP1，所述PNP三极管QP1的发射极连接所述SA‑LIGBT的集电极和所述NPN三极管QN1的基极，所述PNP三极管QP1的集电极连接所述SA‑LIGBT的发射极，所述PNP三极管QP1的基极连接所述NPN三极管QN1的发射极；受控电流源G2，一端连接所述NPN三极管QN1的发射极，另一端连接所述NMOS管M1的源极，所述受控电流源G2产生的电流受控于所述NMOS管M1的电流。本发明能够很好地拟合器件的静态特性和开关特性。

主权项：1.一种阳极短路横向绝缘栅双极晶体管模型，其特征在于，适用于阳极具有NPN三极管的SA-LIGBT，所述SA-LIGBT包括第一导电类型的基区，位于所述基区中的第二导电类型的体区，位于所述体区中的第一导电类型掺杂区，以及位于所述体区中的第二导电类型掺杂区，所述第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区引出作为所述SA-LIGBT的集电极；所述模型包括：NMOS管M1，所述NMOS管M1的源极连接所述SA-LIGBT的发射极，所述NMOS管M1的栅极连接所述SA-LIGBT的栅极；NPN三极管QN1，所述NPN三极管QN1的发射极连接所述NMOS管M1的漏极，所述NPN三极管QN1的集电极连接所述SA-LIGBT的集电极；PNP三极管QP1，所述PNP三极管QP1的发射极连接所述SA-LIGBT的集电极和所述NPN三极管QN1的基极，所述PNP三极管QP1的集电极连接所述SA-LIGBT的发射极，所述PNP三极管QP1的基极连接所述NPN三极管QN1的发射极；受控电流源G2，一端连接所述NPN三极管QN1的发射极，另一端连接所述NMOS管M1的源极，所述受控电流源G2产生的电流受控于所述NMOS管M1的电流。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡华润上华科技有限公司 阳极短路横向绝缘栅双极晶体管模型及其建模方法

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