申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2023-08-10

公开（公告）日：2024-02-23

公开（公告）号：CN117594635A

主分类号：H01L29/10

分类号：H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336;H10B12/00

优先权：["20220812 US 17/886,917"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.02.23#公开

摘要：本公开涉及一种用于凹陷沟道鳍片集成的方法和装置。多种应用可包含具有凹陷沟道FinFET的设备。所述凹陷沟道FinFET可包含源极区与漏极区之间的一或多个鳍片结构，其中所述一或多个鳍片结构从所述源极区的顶部层级且从所述漏极区的顶部层级凹陷。所述凹陷沟道FinFET可包含从源极区和漏极区的所述顶部层级凹陷的栅极，其中所述栅极可通过栅极电介质与所述鳍片结构的尖端区分离，所述栅极电介质限定所述源极区与所述漏极区之间的沟道。凹陷沟道FinFET可在存储器装置的外围到阵列中构造，并且可在与形成到所述阵列的存取线合并的过程中制造。

主权项：1.一种晶体管，其包括：源极区，其位于衬底中；漏极区，其位于所述衬底中；一或多个鳍片结构，其在所述源极区与所述漏极区之间，所述一或多个鳍片结构从所述源极区的顶部层级且从所述漏极区的顶部层级凹陷，所述一或多个鳍片结构中的每一鳍片结构具有尖端区；以及栅极，其从所述源极区的所述顶部层级和所述漏极区的所述顶部层级凹陷，所述栅极通过栅极电介质与所述一或多个鳍片结构的所述尖端区分离，所述栅极电介质限定所述源极区与所述漏极区之间的沟道。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 利用凹陷沟道鳍片集成的方法和装置

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