申请/专利权人：浙江禾芯集成电路有限公司

申请日：2024-01-31

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117672876A

主分类号：H01L21/50

分类号：H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L21/768

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：本发明公开了一种硅通孔型转接板的芯片封装结构的成形工艺，属于半导体封装技术领域。其工艺过程如下：通过晶圆级工艺制作硅通孔型转接板单体，所述硅通孔型转接板单体的正面设置微转接结构；采用bumping工艺，在载体晶圆的正面制作微金属凸块，其与硅通孔型转接板单体的微转接结构一一对应；硅通孔型转接板单体依次与载体晶圆倒装焊接并塑封，再减薄硅通孔型转接板单体；采用晶圆级扇出工艺在硅通孔型转接板单体上封装若干个芯片，所述芯片为单颗裸芯片或多颗裸芯片；进一步减薄载体晶圆侧；设置BGA焊球II；划片成单体。本发明形成超薄的硅通孔转接板的芯片封装结构，并降低封装结构的翘曲，可以提高封装结构的可靠性。

主权项：1.一种硅通孔型转接板的芯片封装结构的成形工艺，工艺过程如下，步骤一，通过晶圆级工艺制作硅通孔型转接板单体，所述硅通孔型转接板单体的正面设置微转接结构，所述微转接结构包括微金属柱和其顶端设置的临时焊料层；步骤二，采用bumping工艺，在载体晶圆的正面制作微金属凸块，所述微金属凸块与硅通孔型转接板单体的微转接结构一一对应；步骤三，硅通孔型转接板单体依次与载体晶圆倒装焊接并塑封，再减薄所述硅通孔型转接板单体的背面；步骤四，采用晶圆级扇出工艺在硅通孔型转接板单体上封装若干个芯片，所述芯片为单颗裸芯片或多颗裸芯片，或单组多层堆叠芯片组件，或若干组多层堆叠芯片组件，或裸芯片与多层堆叠芯片的组合；步骤五，进一步减薄载体晶圆侧，露出硅通孔型转接板单体的微金属柱顶端面；步骤六，所述硅通孔型转接板单体的微金属柱顶端面设置BGA焊球II；步骤七，划片成复数颗硅通孔型转接板的芯片封装结构单体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江禾芯集成电路有限公司 一种硅通孔型转接板的芯片封装结构的成形工艺

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