申请/专利权人：浙江驰拓科技有限公司

申请日：2022-09-02

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN117690467A

主分类号：G11C11/16

分类号：G11C11/16

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开

摘要：本发明公开了一种基于MRAM的PUF生成方法及PUF，应用于计算机芯片安全技术领域，包括将目标MRAM中MTJ自由层的静态偏置磁场的平均值控制为0Oe；控制目标MRAM中各个MTJ的自由层磁矩处于不稳定状态；在MTJ自由层的静态偏置磁场的平均值为0Oe时，控制MTJ脱离不稳定状态，使自由层确定磁矩方向，生成PUF。先将目标MRAM中MTJ的偏置场的平均值控制为0Oe，之后使得MTJ自由层中磁场处于不稳定状态。当解除该不稳定状态，使得自由层中磁场向稳定转变时，该自由层最终形成的磁场在两个方向的几率为50％比50％，进而可以使得每个MTJ为P态或AP态的几率为50％比50％，形成高精度的物理不可克隆函数。

主权项：1.一种基于MRAM的PUF生成方法，其特征在于，包括：将目标MRAM中MTJ自由层的静态偏置磁场的平均值控制为0Oe；控制所述目标MRAM中各个MTJ的自由层磁矩处于不稳定状态；在所述MTJ自由层的静态偏置磁场的平均值为0Oe时，控制所述MTJ脱离所述不稳定状态，使所述自由层确定磁矩方向，生成所述PUF。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江驰拓科技有限公司 一种基于MRAM的PUF生成方法及PUF

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