申请/专利权人：青岛惠科微电子有限公司;青岛惠芯微电子有限公司;北海惠科半导体科技有限公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN117690952A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开

摘要：本申请公开了一种肖特基二极管及其制备方法，肖特基二极管包括重掺杂衬底、轻掺杂外延层、二氧化硅层、二氧化硅膜、肖特基势垒金属层、第一金属层和第二金属层；轻掺杂外延层设置在重掺杂衬底上，二氧化硅层设置在轻掺杂外延层上，且二氧化硅层上开设有第一窗口，以局部暴露轻掺杂外延层，第一窗口内掺杂有在第一预设温度下加热的轻掺杂硼元素和在第二预设温度下加热的重掺杂硼元素，第一窗口内依次层叠有二氧化硅膜和肖特基势垒金属层，第一金属层覆盖设置在肖特基势垒金属层的上方，第二金属层位于重掺杂衬底远离外延层的一侧。本申请通过以上方式，使芯片平衡ESD能力和SSG能力，从而大幅提升器件的可靠性。

主权项：1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括重掺杂衬底、轻掺杂外延层、二氧化硅层、二氧化硅膜、肖特基势垒金属层、第一金属层和第二金属层；所述轻掺杂外延层设置在所述重掺杂衬底上，所述二氧化硅层设置在所述轻掺杂外延层上，且所述二氧化硅层上开设有第一窗口，以局部暴露所述轻掺杂外延层，所述第一窗口内掺杂有在第一预设温度下加热的轻掺杂硼元素和在第二预设温度下加热的重掺杂硼元素，所述第一窗口内依次层叠有所述二氧化硅膜和所述肖特基势垒金属层，所述第一金属层覆盖设置在所述肖特基势垒金属层的上方，所述第二金属层位于所述重掺杂衬底远离所述外延层的一侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 青岛惠科微电子有限公司;青岛惠芯微电子有限公司;北海惠科半导体科技有限公司 肖特基二极管及其制备方法

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