申请/专利权人：湖北九峰山实验室

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN117690951A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/34;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开

摘要：本发明提供一种宽禁带平面MOSFET器件结构及其制作方法，属于半导体器件技术领域。该平面MOSFET器件结构的元胞结构由下至上依次包括漏极、衬底、第一外延层、P+埋层、栅极和源极；在该第一外延层中的两侧设置有第一P阱区；在该第一P阱区的上方的两侧设置有与P+埋层电连接的源极P+区；沿与竖直方向和水平方向均垂直的方向上，在栅极下方的P+埋层中交替设置有第一电流通道和第二电流通道；围绕栅极设置有用于隔离栅极和源极的栅极介质层。该平面MOSFET器件结构能够降低栅氧电场强度、提升器件短路能力和改善器件在比导通电阻和短路能力之间的折中关系。

主权项：1.一种宽禁带半导体平面MOSFET器件结构，其特征在于，所述平面MOSFET器件结构由下至上依次包括漏极、衬底、第一外延层、P+埋层、栅极和源极；以所述源极至所述漏极的方向为竖直方向，以所述衬底的底面所在的平面为水平面，沿与竖直方向和水平方向均垂直的方向上，所述P+埋层的中部交替设置有第一电流通道和第二电流通道；沿所述源极至所述漏极的方向上，在所述第一外延层中至少一侧设置有第一P阱区；在所述第一P阱区的上方的两侧设置有与所述P+埋层电连接的源极P+区；围绕所述栅极设置有用于隔离所述栅极和所述源极的栅极介质层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北九峰山实验室 一种宽禁带半导体平面MOSFET器件结构及其制作方法

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