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【发明公布】三维存储器装置和用于形成三维存储器装置的方法_长江存储科技有限责任公司_202310944670.8 

申请/专利权人:长江存储科技有限责任公司

申请日:2023-07-28

公开(公告)日:2024-03-19

公开(公告)号:CN117729768A

主分类号:H10B12/00

分类号:H10B12/00

优先权:["20220919 US 63/408,030"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要:本文公开了三维存储器装置和用于形成三维存储器装置的方法。提供了一种半导体装置、存储器系统以及制作方法。半导体装置包括与电路结构键合的存储器结构。存储器结构包括:第一晶体管,每个第一晶体管包括在竖直方向上延伸的半导体主体;位于第一晶体管的横向侧的半导体层;延伸穿过半导体层并且横向地环绕半导体层的第一部分的第一隔离结构;延伸穿过半导体层的第一部分的第一接触结构;以及位于半导体层的第一部分上方并且与第一接触结构连接的第一接触焊盘。第一接触焊盘的横向尺寸小于半导体层的第一部分的横向尺寸。电路结构包括第二晶体管,并且第一接触焊盘通过第一接触结构电连接到第二晶体管。

主权项:1.一种半导体装置,包括:存储器结构,所述存储器结构包括:第一晶体管,每个所述第一晶体管包括在竖直方向上延伸的半导体主体,半导体层,所述半导体层位于所述第一晶体管的横向侧上,第一隔离结构,所述第一隔离结构延伸穿过所述半导体层并且横向地环绕所述半导体层的第一部分,第一接触结构,所述第一接触结构延伸穿过所述半导体层的所述第一部分,以及第一接触焊盘,所述第一接触焊盘位于所述半导体层的所述第一部分上方并且与所述第一接触结构连接,其中,所述第一接触焊盘的横向尺寸小于所述半导体层的所述第一部分的横向尺寸;以及电路结构,所述电路结构包括第二晶体管,其中,所述电路结构与所述存储器结构键合,所述第一接触焊盘通过所述第一接触结构电连接到所述第二晶体管。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 长江存储科技有限责任公司 三维存储器装置和用于形成三维存储器装置的方法

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